فروش فایل ترجمه ۱

12,500 تومان

دانلود ترجمه روان و با کیفیت بسیار بالا.

پرداخت هزینه ترجمه در قبال کیفیت بالای آن ناچیز است.

برای کسب اطلاعات بیشتر در رابطه با مقاله، بخش توضیحات را بخوانید.

مقایسه

توضیحات

در این بخش ترجمه آماده مقالات و متون انگلیسی با هزینه اندک تقدیم شما می شود. هزینه های پرداختی به این ترجمه های آماده قابل مقایسه با ارزش اصلی آنها نمی باشد. همچنین در صورت بروز هرگونه مشکل و نیاز به پشتیبانی با شماره ۰۹۳۸۲۱۳۴۶۲۸ تماس حاصل فرمایید. مطمئن باشید ترجمه هایی با کیفیت بالا به دستتان خواهد رسید که غیر این باشد، کل وجه پرداختی شما عودت داده می شود.

عنوان فارسی مقاله

SRAM بازده بالا با روش اشتراک شارژ خط بیت سلسله مراتبی (پیوسته) توسط شارژ های خط بیت انتخاب نشده

عنوان انگلیسی مقاله

Highly Energy-Efficient SRAM With Hierarchical Bit Line Charge-Sharing Method Using Non-Selected Bit Line Charges
سال انتشار منبع
۲۰۱۳  IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS

چکیده فارسی

 SRAM ولتاژ پایین در نزدیکی ولتاژ آستانه، دو منبع اصلی اتلاف توان داریم: نوسان خط بیت اضافی، بدلیل تغییر تصادفی ترانزیستورها و مصرف توان دینامیکی نوسان خط بیت ستون های انتخاب نشده. بمنظور غلبه بر موضوعات مصرف توان اتلافی و دسترسی به بالاترین عملکرد انرژی موثر SRAM ولتاژ پایین، تکنیک  جدید CSHBL  و تکنیک های CCC، که نسخه CSHBL را ارتقاء داده است، ارائه شده است. یک SRAM ساخته شده با استفاده از تکنولوژی ۶۵nm با پذیرفتن CSHBL به مصرف انرژی ۲۶.۴ pJ/Access/Mbit دست می­ یابد، که ۱۳.۸ pJ/Access/Mbit آن توسط ماکرو SRAM بدست می­ آید که CCC را با تکنولوژی ۴۰nm پذیرفته است. این مصرف انرژی از مقادیر در کارهای قبلی، کمتر است.

چکیده انگلیسی

 Low voltage SRAM at a near-threshold voltage has two major sources of power waste: excess bit line swing due to the random variation of transistors and dynamic power consumption of the bit line swing of non-selected columns. In order to overcome these waste power consumption issues and achieve the highest energy-efficient operation of low voltage SRAM, the new CSHBL technique and CCC techniques, which is the improved version of the CSHBL, have been proposed. An SRAM fabricated using 65 nm technology adopting the CSHBL achieved an energy consumption of 26.4 pJ/Access/Mbit, and that of 13.8 pJ/Acess/Mbit is achieved by the SRAM macro that adopted CCC with 40 nm technology. This energy consumption is lower than values in previous works.

 

دانلود مقاله

توضیحات تکمیلی

نوع فایل

DOCX

رمز

ندارد

حجم

کمتر از 2 مگابایت

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “فروش فایل ترجمه ۱”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

2 × 1 =